时 间：2006年6月16日（星期五） 下午   2:30

地 点：北京大学  现代物理中心  报告厅

报告题目：Nanowire Building Blocks: Fundamental Transport Phenomena and Application in Nanoelectronics

报告人：向杰（Jie Xiang）

    2002年毕业于北京大学物理系，获得物理学学士学位，其间获得君政基金，在俞大鹏教授实验室从事纳米线方面的研究;2002年7月至今在美国哈佛大学化学系跟随C. M. Lieber教授攻读化学物理博士学位。主要从事一维纳米材料的电荷输运性质与纳米电子学研究。共在包括Nature, PNAS, Nano Letters等重要学术刊物上发表论文五篇，包括: “Dopant-free GaN/AlN/AlGaN radial nanowire heterostructures as high electron mobility transistors”, Nano Letters, in press; “High performance field effect transistors based on Ge/Si nanowire heterostructures”, Nature 441, 489 (2006);“One-dimensional hole gas in germanium/silicon nanowire heterostructures”, PNAS, USA 102, 10046 (2005); “Single-crystal metallic nanowires and metal/semiconductor nanowire heterostructures”, Nature 430, 61 (2004).

研究方向：在“自下而上”利用纳米尺度基元构建纳米器件的进程中，人们需要深入理解单个纳米基元中电荷的输运性质。我的工作主要集中在半导体纳米线和纳米线异质结上。在这次报告中，我将介绍未掺杂的Ge/Si 壳层异质结中的电子输运性质，发现了由于径向限制效应引起的空穴气的形成，以及一维带间(subbands)体系中量子电导的基本特征。在超导近邻效应作用下, Ge/Si 壳层异质结可以承载巨大的超流，并展现出一系列非常有趣的全新的量子输运现象。同时，我还会讨论利用纳米线作为基元构造纳米计算机的相关问题，分析纳米线二极管是否比传统CMOS技术更具优势。 通过把Ge/Si 壳层空穴气与高k介电上门电极结合的方法，发现纳米线场效应管比现有的硅MOSFETs技术要快3～4个数量级。

联系教授： 俞大鹏教授

联系方法： 电话：62759474 ,  yudp@pku.edu.cn